摘要 名称高致密、低气孔率氮化硅-碳化硅-氧化物系统耐火材料公开号1085200公开日1994.04.13主分类号C04B35
名称 | 高致密、低气孔率氮化硅-碳化硅-氧化物系统耐火材料 | ||
公开号 | 1085200 | 公开日 | 1994.04.13 |
主分类号 | C04B35/58 | 分类号 | C04B35/58;C04B35/56 |
申请号 | 93112548.0 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1993.09.03 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 |
发明人 | 潘裕柏; 江东亮; 谭寿洪; 王菊红 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 潘振∴ |
摘要 | 本发明涉及氮化硅-碳化硅-氧化物耐火材料,属于氮化硅结合碳化硅基耐火材料。本发明提供耐火材料具体组分(wt%)为:Si#-[3]N#-[4]10 —30,SiC50—80,Y#-[2]O#-[3]2—10,Al#-[2]O#-[3] 1—15。该耐火材料具有强度高、高致密、低气孔且第一热震系数优于一般的氮化硅结合的碳化硅,且制作工艺简单、成本低、重复性好等优点。 |