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安徽碳索芯材申请金刚石主动散热器件专利，提高散热效率

金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，安徽碳索芯材科技有限公司申请一项名为“一种金刚石主动散热器件”的专利，公开号CN119136508A，申请日期...

上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展

中国科学院上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓异质集成材料...

金刚石多晶材料：高功率器件散热解决方案

随着电子器件功率密度的不断提升，尤其是在5G通信、电动汽车、高功率激光器、雷达和航空航天等领域，对高效散热解决方...

金刚石，功率半导体器件的终极选择！

功率半导体器件是几乎所有电子制造行业使用的电子电源系统的核心部件。典型应用领域包括消费电子、移动通信、电子设备等...

第三代、第四代半导体衬底材料如何高效加工？器件散热如何攻克？Carbontech半导体与加工主题论坛，上海见

金刚石半导体产业化在即金刚石半导体产业化在即！生长技术大幅度提升，金刚石从工业级-宝石级-热学级-光学级-电子级，逐步跃迁，同时价格下行，带动应用端的尝试。市场需求驱动...

金刚石助力半导体器件散热

12月5-7日，由DT新材料主办的第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech2024）将在上海新国际博览中心隆重举办。同期针对半导体与加工主题特设4大论坛，...

【深度解析】金刚石多晶散热在高功率器件中的应用与价值

在当今科技飞速发展的时代，高功率器件的应用越来越广泛，从通信领域的射频功率放大器到激光技术中的高功率激光器，从先...

哈尔滨工业大学在金刚石半导体器件领域取得重大突破：超低阻欧姆接触

【导读】单片集成互补逻辑电路与高速光互联建立在无数金属-半导体接触基础之上，而低电阻且耐久的欧姆接触是制约超宽禁带半导体光电子器件性能与应用的一大因素。近日，哈工大红外...

打破近30年记录！哈工大金刚石半导体器件重大突破

单片集成互补逻辑电路与高速光互联建立在无数金属-半导体接触基础之上，而低电阻且耐久的欧姆接触是制约超宽禁带半导体光电子器件性能与应用的一大因素。近日，哈工大红外薄膜与晶...

揭秘金刚石在高功率器件中的应用与市场化难题

在当今快速发展的电子科技领域，材料创新是推动技术进步的重要驱动力。金刚石，这一集力学、电学、热学、光学、声学及耐...

中兵红箭：已开发出适用于金刚石半导体器件研究的衬底材料

e公司讯，中兵红箭5月17日在互动平台表示，公司目前已开发出适用于高校院所进行金刚石半导体器件研究的衬底材料，在金刚石半导体材料的尺寸、成本等方面尚未达到产业化推广的门...

“终极半导体材料”商用再进一步！ 2英寸单晶金刚石电子器件量产

据西安交大官网，近日,西安交通大学王宏兴教授团队经过十年不懈努力，成功实现了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的量产，这是金刚石电子器件领域的一大突破。金刚石半导体，被...

会议通知|2024半导体材料与电子元器件发展论坛

异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展

1异质外延单晶金刚石微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）是高质量单晶金刚石制备的主流方法。根据衬底选择可将其分为同质外延和异质外延两种。同质外延以单晶金刚石为衬底，通...

中国科学院大学碳量子材料与器件实验室：大面积多晶金刚石晶圆抛光技术研究进展

化学气相沉积法（CVD）生产的多晶金刚石晶圆由于面积大、生产条件相对温和、生产成本相对较低等优势，广泛应用于集成...

用于功率器件热点定向散热的金刚石单晶-多晶复合微通道热沉

导读随着功率器件集成化、小型化，散热问题成为限制器件性能以及稳定性的瓶颈，其中值得关注的一个问题是：器件表面的热源分布是不均匀的，存在一个或者多个热流密度显著高于其他区...

郑州大学金刚石光电材料与器件课题组：超细纤维的连续制备应用于可穿戴应力发光织物

背景介绍应力发光是一种由于机械外力作用，在固体材料上引起的发光现象。应力发光纤维及纤维编织而成的织物可以在无需电源供给情况下实现光信号的发射，也有很好的可拉伸性和生物相...

Advanced Materials：纳米尺度的“钻戒”为超导量子器件的设计提供了新思路

近日，丹麦高等研究院与北京工业大学、日本国立物质材料研究所、比利时鲁汶大学、中南大学、英国布里斯托大学、比利时根...

香港城大陆洋教授综述 | 应用于功能器件的金刚石电子性能的调整

由于其超高硬度，人造金刚石已广泛应用于先进制造和机械工程。另一方面，作为一种超宽带隙半导体，金刚石由于其出色的物...

盘点我国金刚石半导体与器件科研团队

金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度为5.5eV，比GaN、SiC等宽禁带半导体材料还要大。如下表所示，金刚石禁带宽度是Si的5倍；载流子迁移率也是Si材料的3倍...