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       据西安交大官网，近日,西安交通大学王宏兴教授团队经过十年不懈努力，成功实现了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的量产，这是金刚石电子器件领域的一大突破。

       金刚石半导体，被誉为第三代半导体材料的佼佼者，因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子饱和漂移速度和高热导率等特性，在电子器件领域具有巨大的应用潜力。然而，大尺寸、高质量的单晶金刚石衬底制备一直是困扰全球科研人员的技术难题。

王宏兴教授（右三）与团队成员在讨论研发中的问题

       王宏兴教授团队采用自主研发的微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，通过精准调控成膜均匀性、温场及流场，成功实现了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的批量化生产。这种衬底表面具有台阶流生长模式，能够显著降低缺陷密度，提高晶体质量。其XRD测试结果显示，各项指标已经优于国外最好水平，达到世界领先地位。

异质外延金刚石光学显微镜照片（a）放大100倍（b）放大500倍

XRD测试结果（a）（004）面摇摆曲线；（b）（311）面摇摆曲线；（c）（311）面四重对称；（d）极图

       这一重要成果不仅打破了国外技术封锁，也推动了金刚石电子器件在我国的实用化发展。目前，王宏兴团队生产的单晶金刚石器件已经广泛应用于5G通讯、高频大功率探测装置等领域。王宏兴教授表示，这一突破的实现，离不开团队十年如一日的潜心研发，也离不开与国内相关大型通信公司、中国电子科技集团等机构的紧密合作。未来，团队将继续深入研究，推动金刚石半导体材料与器件在更多领域的应用，为我国的科技进步做出更大贡献。

       十年磨剑，王宏兴教授团队用他们的智慧和汗水，实现了2英寸单晶金刚石电子器件的量产，为我国在金刚石半导体领域的发展奠定了坚实基础。这一重大突破，不仅彰显了我国科研人员的创新能力和技术水平，也为我国的科技事业注入了新的活力。