金刚石膜上的薄层硅结构芯片材料及其制备方法 _专利

金刚石膜上的薄层硅结构芯片材料及其制备方法

关键词金刚石膜上 , 薄层硅 , 制备方法 |2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称金刚石膜上的薄层硅结构芯片材料及其制备方法公开号1132408公开日1996.10.02主分类号H01L21/0

名称	金刚石膜上的薄层硅结构芯片材料及其制备方法
公开号	1132408	公开日	1996.10.02
主分类号	H01L21/00	分类号	H01L21/00
申请号	95119375.9
分案原申请号		申请日	1995.12.12
颁证日		优先权
申请人	吉林大学	地址	130023吉林省长春市解放大路123号
发明人	顾长志; 金曾孙	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	吉林大学专利事务所	代理人	王恩远
摘要	金刚石膜上的薄层硅结构属用于制作电子器件的芯片材料。制备过程大致是在键合单晶硅（５）上顺次形成ＳiO#-[2]过渡层(6)、金刚石膜（７）、Si#-[3] N#-[4]保护层（８），其上再生长的多晶硅经氧化形成键合二氧化硅层（３）。键合单晶硅（５）上形成的键合二氧化硅层（３）跟衬底单晶硅（１）上的衬底二氧化硅层（２）经亲水处理、水中密合、高温键合及退火处理形成ＳＯＤ结构。本发明ＳＯＤ结构薄层硅晶格完整、键合牢固、成品率高；制作电子器件具有良好的抗辐射性能、导热性能和绝缘性能。

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