申请人:中南大学
发明人:魏秋平 周科朝 马莉 余志明 张龙
摘要:本发明提供一种泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料及其制备方法,所述复合材料由泡沫衬底、金刚石强化层、基体材料组成。其中泡沫衬底为泡沫金属或泡沫陶瓷或泡沫碳,基体材料为铜及其合金,金刚石强化层为金刚石或金刚石与石墨烯或/和碳纳米管。本发明制得的复合材料增强相与基体相在三维空间内保持连续分布,使金刚石和基体形成了网络互穿构形,从而可弱化复合界面对材料热学性能的显著影响,既能不降低金属基体在复合材料中的良好塑韧性,又能使增强相成为一个整体,最大限度地发挥增强体的导热效率,使复合材料的热导率、电导率及机械强度相比较传统复合材料有极大提高,是一种很有潜力的新型多功能复合材料。 主权利要求:1.泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料,其特征在于,所述复合材料包括增强体、基体材料,所述增强体包括泡沫骨架衬底、金刚石强化层,所述泡沫骨架衬底表面设有金刚石强化层;所述泡沫骨架衬底选自泡沫金属骨架、泡沫陶瓷骨架、泡沫碳骨架中的至少一种,所述基体材料选自铜及铜基合金。
2.根据权利要求1所述的泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料,其 特征在于,所述泡沫金属骨架选自泡沫镍、泡沫铜、泡沫钛、泡沫钴、 泡沫钨、泡沫钼、泡沫铬、泡沫铁镍、泡沫铝中的一种;所述泡沫陶 瓷骨架选自泡沫A12O3、泡沫ZrO2、泡沫SiC、泡沫Si3N4、泡沫BN、 泡沫B4C、泡沫AlN、泡沫WC、泡沫Cr7C3中的一种。
3.根据权利要求2所述的泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料,其 特征在于,所述泡沫骨架衬底中,泡沫孔径为0.01-10mm,开孔率 40-99.9%,泡沫孔洞均匀分布或随机分布;泡沫骨架为平面结构或三 维立体结构。
4.根据权利要求1所述的泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料,其 特征在于,所述金刚石强化层选自金刚石膜、石墨烯包覆金刚石、碳 纳米管包覆金刚石、石墨烯/碳纳米管包覆金刚石中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料,其 特征在于,金刚石强化层中,石墨烯包覆金刚石是指在金刚石表面原 位生长石墨烯,且石墨烯垂直于金刚石表面形成石墨烯墙; 碳纳米管包覆金刚石是指在金刚石表面催化生长碳纳米管,且碳 纳米管垂直于金刚石表面形成碳纳米管林; 石墨烯/碳纳米管包覆金刚石是指在金刚石表面原位生长石墨烯 膜后再催化生长碳纳米管林,且石墨烯在金刚石表面铺展成膜,碳纳 米管垂直于金刚石和石墨烯表面形成碳纳米管林。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的泡沫金刚石骨架增强铜基复 合材料,其特征在于,基体材料中还添加有强化颗粒,强化颗粒选自 高导热颗粒、超硬耐磨颗粒、导电颗粒中的至少一种;所述高导热颗 粒选自金刚石粉、石墨烯、碳纳米管、石墨烯包覆金刚石微球、碳纳 米管包覆金刚石微球、碳纳米管包覆石墨烯中的至少一种;超硬耐磨 颗粒选自金刚石粉、SiC、TiC、TiN、AlN、Si3N4、Al2O3、BN、WC、 MoC、Cr7C3中的至少一种;导电颗粒选自石墨、碳纳米管、石墨烯 中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料,其 特征在于,复合材料中,各组分的体积百分含量为:基体材料体积分 数为20-95%,增强体体积分数为5-80%,强化颗粒体积分数为0-30%, 各组分体积百分之和为100%。
8.根据权利要求7所述的泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料,其 特征在于,在基体中,增强体以单体增强或多体阵列增强,所述多体 阵列增强是指增强体以层片状平行分布或以柱状平行分布于基体中。
9.一种泡沫金刚石骨架增强铜基复合材料的制备方法,包括下 述步骤: 第一步:增强体的制备 将泡沫骨架衬底清洗、烘干后,采用化学气相沉积在泡沫骨架表 面原位生长金刚石,得到增强体;沉积参数为: 沉积金刚石膜:含碳气体占炉内全部气体质量流量百分比为 0.5-10.0%;生长温度为600-1000℃,生长气压为103-104Pa; 或 将泡沫骨架衬底清洗、烘干后,采用化学气相沉积在泡沫骨架表 面原位生长石墨烯包覆金刚石、碳纳米管包覆金刚石、石墨烯/碳纳 米管包覆金刚石,沉积过程中在泡沫骨架衬底上施加等离子辅助生 长,并通过在衬底底部添加磁场把等离子体约束在泡沫骨架近表面, 强化等离子对泡沫骨架表面的轰击,使石墨烯垂直于泡沫骨架表面生 长,形成石墨烯墙,得到增强体;沉积工艺为: 沉积石墨烯墙:含碳气体占炉内全部气体质量流量百分比为 0.5-80%;生长温度为400-1200℃,生长气压为5-105Pa;等离子电流 密度为0-50mA/cm2;沉积区域中磁场强度为100高斯至30特斯拉; 沉积石墨烯包覆金刚石: 首先,采用化学气相沉积技术在衬底表面沉积金刚石,沉积参数 为:含碳气体占炉内全部气体质量流量百分比为0.5-10.0%;生长温 度为600-1000℃,生长气压为103-104Pa;然后,再在金刚石表面沉积 石墨烯墙,石墨烯垂直于金刚石表面生长,形成石墨烯墙,沉积参数 为:含碳气体占炉内全部气体质量流量百分比为0.5-80%;生长温度 为400-1200℃,生长气压为5-105Pa;等离子电流密度为0-50mA/cm2; 沉积区域中磁场强度为100高斯至30特斯拉; 沉积碳纳米管包覆金刚石: 首先,采用化学气相沉积技术在衬底表面沉积金刚石,沉积参数 为:含碳气体占炉内全部气体质量流量百分比为0.5-10.0%;生长温 度为600-1000℃,生长气压为103-104Pa;然后,在金刚石表面采用 电镀、化学镀、蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、物理气相沉积中的 一种方法在沉积表面沉积镍、铜、钴的一种或复合催化层;再沉积碳 纳米管,沉积参数为:含碳气体占炉内全部气体质量流量百分比为 5-50%;生长温度为400-1300℃,生长气压为103-105Pa;等离子电流 密度为0-30mA/cm2;沉积区域中磁场强度为100高斯至30特斯拉; 沉积石墨烯/碳纳米管包覆金刚石: 首先,采用化学气相沉积技术在衬底表面沉积金刚石,沉积参数 为:含碳气体质量流量百分比为0.5-10%;生长温度为600-1000℃, 生长气压103-104Pa;然后,在金刚石表面沉积石墨烯膜,沉积参数 为:含碳气体质量流量百分比为0.5-80%;生长温度为400-1200℃, 生长气压为5-105Pa;等离子电流密度为0-50mA/cm2;沉积区域中磁 场强度为100高斯至30特斯拉;最后,在石墨烯表面采用电镀、化 学镀、蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、物理气相沉积中的一种方法 在衬底表面沉积镍、铜、钴的一种或复合催化层后,沉积碳纳米管林, 沉积参数为:含碳气体质量流量百分比为5-80%;生长温度为 400-1200℃,生长气压为5-105Pa;等离子电流密度为0-50mA/cm2; 第二步:采用压力熔渗技术将具有金刚石强化层的增强体与铜基 体复合。
10.根据权利要求9所述的一种泡沫金刚石骨架增强铜基复合材 料的制备方法,其特征在于:第一步中,泡沫骨架衬底清洗、烘干后, 先采用电镀、化学镀、蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、物理气相沉 积中的一种方法在衬底表面沉积镍、铜、钨、钼、钛、银、铬中的一 种或复合金属层,然后,置于纳米晶和微米晶金刚石混合颗粒的悬浊 液中,加热至沸腾后,于超声波中震荡、分散均匀,得到网孔中间镶 嵌大量纳米晶和微米晶金刚石颗粒的泡沫骨架衬底;对泡面骨架衬底 采用化学气相沉积在泡沫骨架表面或金刚石颗粒表面原位生长金刚 石膜、石墨烯包覆金刚石、碳纳米管包覆金刚石、石墨烯/碳纳米管 包覆金刚石,得到增强体。
11.根据权利要求9或10所述的一种泡沫金刚石骨架增强铜基 复合材料的制备方法,其特征在于:在增强体表面制备一层改性层后 采用压力熔渗技术与铜基体复合;所述改性层选自钨、碳化钨、钼、 碳化钼、铬、碳化铬、钛、碳化钛、镍、铜、铝、铂、钨基合金、钼 基合金、铬基合金、钛基合金、镍基合金、铜基合金、铝基合金、铂 基合金中的至少一种;改性层采用电镀、化学镀、蒸镀、磁控溅射、 化学气相沉积、物理气相沉积中的一种方法在增强体表面制备。