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       申请号：201580059054.8
       申请人：住友电气工业株式会社 住友电工硬质合金株式会社
       发明人：西林良树 植田晓彦 小林丰

       摘要： 一种单晶金刚石材料，具有对于波长大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波长的光的小于或等于15％的透过率，并且是根据光学评估的电绝缘体和根据电气评估的电绝缘体中的至少任何一个。光学评估的准则可以是波长为10.6μm光的透过率大于或等于1％的。电气评估的标准可以是平均电阻率大于或等于1×106Ωcm。因此，提供了在可见光区域的整个区域中具有低透过率且呈现黑色的单晶金刚石材料。

       主权利要求：1.一种单晶金刚石材料，对于波长大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波长的光，所述单晶金刚石材料的透过率小于或等于15％，所述单晶金刚石材料是根据光学评估的电绝缘体和根据电气评估的电绝缘体中的至少任何一个。
       2.根据权利要求1所述的单晶金刚石材料，其中，所述光学评估的准则是波长为10.6μm的光的透过率大于或等于1％。
       3.根据权利要求1或2所述的单晶金刚石材料，其中，所述电气评估的准则是平均电阻率大于或等于1×106Ωcm。
       4.根据权利要求1至3中的任一项所述的单晶金刚石材料，其中，对于波长大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波长的光，透过率小于或等于3％。
       5.根据权利要求1至4中的任一项所述的单晶金刚石材料，所述单晶金刚石材料的总氮浓度大于或等于孤立替位氮浓度的8倍。
       6.根据权利要求1至5中的任一项所述的单晶金刚石材料，所述单晶金刚石材料的非替位氮浓度大于或等于0.875ppm，所述非替位氮浓度是通过从总氮浓度减去孤立替位氮浓度来获得的。
       7.根据权利要求1至6中的任一项所述的单晶金刚石材料，所述单晶金刚石材料的空位浓度高于孤立替位氮浓度、非替位氮浓度、总氮浓度和1ppm中的至少任一个。
       8.根据权利要求1至7中的任一项所述的单晶金刚石材料，所述单晶金刚石材料的选自由镁、铝、硅、磷和硫组成的组中的至少一种杂质元素的总杂质元素浓度大于或等于至50ppb。
       9.根据权利要求1至8中的任一项所述的单晶金刚石材料，所述单晶金刚石材料的选自由镁、铝、硅、磷和硫组成的组中的至少一种杂质元素的总杂质元素浓度大于或等于所述杂质元素的总替位杂质元素浓度的8倍。
       10.根据权利要求1至9中的任一项所述的单晶金刚石材料，所述单晶金刚石材料的总硼浓度小于或等于总氮浓度。
       11.一种工具，包括根据权利要求1至10中的任一项所述的单晶金刚石材料。
       12.一种辐射温度监测器，包括根据权利要求1至10中的任一项所述的单晶金刚石材料。
       13.一种红外光学组件，包括根据权利要求1至10中的任一项所述的单晶金刚石材料。