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　　2.根据权利要求1所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，在步骤A之前还包括步骤：A₀.将石英基片放入醇溶液中进行超声清洗，然后用去离子水进行超声洗涤，取出后烘干。 

　　3.根据权利要求2所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，在步骤C和D之间还包括：C₀.在石英基片上制备多层具有浓度梯度的掺纳米金刚石微粉的二氧化硅薄膜。 

　　4.根据权利要求3所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，在步骤D和E之间还包括：D₀.将步骤D处理后的石英基片放入丙酮溶液中进行超声清洗，然后再用去离子水进行超声洗涤，取出后进行表面干燥处理。 

　　5.根据权利要求3或4所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，步骤B、步骤C以及步骤C₀进行之前先将溶胶进行超声波处理，分散溶胶颗粒形成的不稳定的物理团聚；和石英基片上成膜是在相对湿度小于50%的环境下进行。 

　　6.根据权利要求5所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，步骤A中所述溶胶是通过向正硅酸乙酯溶液中滴加去离子水和无水乙醇，调节pH至3-5，再加入乙酰胺制得。 
　
　　7.根据权利要求3或6所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，所述步骤B、步骤C以及步骤C₀中甩胶机的转速为2000-4000r/min，持续时间为20s；所述步骤C和步骤C₀中掺入的纳米金刚石微粉粒径为5-50nm。 

　　8.根据权利要求7所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，所述步骤C和步骤C₀中制备掺纳米金刚石微粉的二氧化硅薄膜后，将石英基片放入烘箱中在温度400-600℃下，热处理2小时。 

　　9.根据权利要求3或8所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，所述步骤C₀中形成的掺纳米金刚石微粉的二氧化硅薄膜为1-4层。 

　　10.根据权利要求9所述的在石英基片上制备金刚石膜的方法，其特征在于，步骤A中所述溶胶密闭后在50-100℃的温度下，陈化两天。