表面待用碳化硅基体的回收 _专利

表面待用碳化硅基体的回收

关键词碳化硅 , 基体 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称表面待用碳化硅基体的回收公开号1252895公开日2000.05.10主分类号H01L33/00

名称	表面待用碳化硅基体的回收
公开号	1252895	公开日	2000.05.10
主分类号	H01L33/00	分类号	H01L33/00
申请号	98804197.9
分案原申请号		申请日	1998.04.07
颁证日		优先权	[32]1997.4.17[33]US[31]08/840,961
申请人	克里研究公司	地址	美国北卡罗莱纳
发明人	G·H·尼格利	国际申请	PCT.US98/06836 1998.4.7
国际公布	WO98.47185 英 1998.10.22	进入国家日期	1999.10.15
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	龙传红
摘要	公开一种从碳化硅基体上的Ⅲ族氮化物杂外延结构回收表面待用碳化硅基体的方法。该方法包括向碳化硅基体上的Ⅲ族氮化物外延层施加应力使外延层内有效增加位错数量以便让外延层在无机酸内受到浸蚀和溶解，但反过来并不影响碳化硅基体，和随后用无机酸接触外延层以便去除Ⅲ族氮化物同时留下不受影响的碳化硅基体。

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