掺Sb∶SnO#-[2]透明导电纳米微粉 _专利

掺Sb∶SnO#-[2]透明导电纳米微粉

关键词透明 , 导电 , 纳米微粉 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称掺Sb∶SnO#-[2]透明导电纳米微粉公开号1357509公开日2002.07.10主分类号C04B35/45

名称	掺Sb∶SnO#-[2]透明导电纳米微粉
公开号	1357509	公开日	2002.07.10
主分类号	C04B35/457	分类号	C04B35/457;C04B35/622;H01B1/00
申请号	00132075.0
分案原申请号		申请日	2000.12.14
颁证日		优先权
申请人	成都亿安方博低维材料科技有限公司	地址	610041四川省成都市芳草东街76号4楼
发明人	李树尘	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	成都立信专利事务所有限公司	代理人	黄首一
摘要	本发明涉及低电阻率的导电微粉。本导电微粉为掺Sb∶SnO#-[2]，Sn与Sb原子数量比为6.7～13.5∶1，粒径为5～20nm，自然堆集态粉体电阻为10#+[4]～10#+[6]Ω。其制备方法为首先将SnCl#-[4]·5H#-[2]O及SbCl#-[3]分别与无水乙醇相溶并醇化反应，生成锡锑氯醇盐溶液；滴入氨的蒸馏水发生水解沉淀反应，经沉淀过滤、离心分离，于80～120℃干燥；粉碎后，于马弗炉在350～700℃焙烧而制成。具有工艺简单，电导性能优良，粒度细，成本低，适宜产业化生产。

① 凡本网注明"来源：超硬材料网"的所有作品，均为河南远发信息技术有限公司合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明"来源：超硬材料网"。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。

② 凡本网注明"来源：XXX（非超硬材料网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

③ 如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的，请在30日内进行。

※ 联系电话：0371-67667020