碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件 _专利

碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件

关键词碳化硅衬底 , 制造方法|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件公开号1237272公开日1999.12.01主分类号H01

名称	碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件
公开号	1237272	公开日	1999.12.01
主分类号	H01L21/205	分类号	H01L21/205
申请号	98801243.X
分案原申请号		申请日	1998.08.27
颁证日		优先权	[32]1997.8.27[33]JP[31]230770/97
申请人	松下电器产业株式会社	地址	日本大阪府
发明人	北∴真; 内田正雄; 高桥邦方	国际申请	PCT/JP98/03826 98.8.27
国际公布	WO99/10919 日 99.3.4	进入国家日期	1999.04.27
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	杨凯; 叶恺东
摘要	在衬底1的碳化硅晶体生长表面1a中，一边保持硅原子2相对于碳原子处于过剩状态，一边利用MBE法等使碳化硅薄膜进行外延生长。由此，可在低温下以良好的再现性形成结晶性良好的碳化硅衬底。即使在1300℃以下的低温下也能进行该生长，可形成高浓度掺杂膜·选择生长膜·在六方晶体上的立方晶体碳化硅的生长膜。此外，在六方晶体上使立方晶体碳化硅实现结晶化时，进而使用向（数1）方向倾斜的偏移切割衬底对于防止孪晶的发生是有效的。