通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置 _专利

通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置

关键词化学汽相淀积 , 碳化硅 , 装置 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置公开号1166540公开日1997.12.03主分类号C30B25/00&

名称	通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置
公开号	1166540	公开日	1997.12.03
主分类号	C30B25/00	分类号	C30B25/00;C30B29/36
申请号	97102232.1
分案原申请号		申请日	1997.01.10
颁证日		优先权	[32]1996.1.30[33]DE[31]19603323.3
申请人	西门子公司	地址	联邦德国慕尼黑
发明人	罗兰·鲁普; 约翰尼斯·韦尔克	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	柳沈知识产权律师事务所	代理人	杨梧
摘要	一种提高气体利用率的通过ＣＶＤ生产ＳｉＣ的方法和装置，其中，产生一股过程气流（２），在基底（４）上通过ＣＶＤ从过程气流（２）中离析出ＳｉＣ。此外还产生由一种惰性气体组成的第二股气流（３），它沿流动方向完全包围过程气流（２）。由此获得过程气体的高的产出率。

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