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金刚石半导体,越来越近

金刚石半导体,越来越近
金刚石半导体,越来越近
金刚石半导体,越来越近

金刚石半导体具有优于其他半导体材料的出色特性,因此被誉为“终极功率半导体”。基于业界长期的研发活动,如今金刚石半导体已经开始逐步迈向实用化。但要真正普及推广金刚石半导体...

日期 2023-04-04   

哈尔滨工业大学:Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展

推荐语:瞄准金刚石晶圆制备这一制约其应用的技术难题,从形核与生长基本理论出发,通过阐述金刚石形核装置、工艺窗口、形核现象、织构生长、位错控制等关键技术细节,对Ir衬底上...

日期 2023-02-02   
金刚石半导体材料距离进入半导体产业链还需要多久?

金刚石半导体材料距离进入半导体产业链还需要多久?

半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。其导电能力会随温度、光照及掺入杂质的不同而显著...

日期 2022-12-01   

盘点我国金刚石半导体与器件科研团队

金刚石是一种超宽禁带半导体材料,其禁带宽度为5.5eV,比GaN、SiC等宽禁带半导体材料还要大。如下表所示,金刚石禁带宽度是Si的5倍;载流子迁移率也是Si材料的3倍...

日期 2022-10-24   
国产金刚石半导体的春天?美国宣布升级超宽禁带半导体材料等技术出口限制

国产金刚石半导体的春天?美国宣布升级超宽禁带半导体材料等技术出口限制

8月12日,当地时间周五,美国商务部工业与安全局(BIS)在联邦公报上披露了一项出口限制加码的临时最终决定,涉及...

日期 2022-08-24   

深耕金刚石半导体 “应变工程”,重塑微纳制造新高度

深耕金刚石半导体 “应变工程”,重塑微纳制造新高度
深耕金刚石半导体 “应变工程”,重塑微纳制造新高度
深耕金刚石半导体 “应变工程”,重塑微纳制造新高度

近日,从香港城市大学深圳研究院纳米制造实验室(Nano-ManufacturingLaboratory,NML)获悉,该实验室主任陆洋教授的微纳米力学研究课题组将迎来又...

日期 2022-06-23   

金刚石半导体器件将进入汽车领域

金刚石半导体器件将进入汽车领域
金刚石半导体器件将进入汽车领域
金刚石半导体器件将进入汽车领域

一家专门从事合成、实验室培育的电子级金刚石材料的制造和应用的科技公司AKHANSemiconductor上个月宣布,公司面向半导体、电信、消费行业和全球市场展示了能够制...

日期 2021-09-08   

金刚石半导体器件的研究进展

金刚石半导体器件的研究进展
金刚石半导体器件的研究进展
金刚石半导体器件的研究进展

摘要:金刚石因其优异的物理化学特性,被视为下一代电力电子器件的终极材料,金刚石半导体器件的制备受到了科研工作者的广泛关注。文章对金刚石基二极管、开关器件和边缘终止效应等...

日期 2021-08-05   

更高性能的金刚石半导体技术

更高性能的金刚石半导体技术
更高性能的金刚石半导体技术
更高性能的金刚石半导体技术

金刚石具有比硅速度快、功耗小、质量轻、厚度薄等诸多优点,在半导体领域具有巨大前景。早在2000年之前,阿贡国家实验室已经就金刚石化学气相淀积(CVD)展开试验,并成立了...

日期 2020-06-28   

细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况

细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况
细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况
细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料(禁带宽度>4.5eV)的研究和应用,近年来不断获得技术的突破。这类半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及...

日期 2019-08-26   

AKHAN发布了涉及金刚石半导体材料制备的日本专利

创始人兼首席执行官亚当·汗(AdamKhan)表示:“此次专利发布保护了我们在金刚石研究领域全球领先地位和技术所有权益。他表示:“在今年发布的台湾金刚石半导体专利以及美...

日期 2017-11-17   
日本宣布常闭型金刚石半导体试制成功

日本宣布常闭型金刚石半导体试制成功

日本金泽大学2016年8月19日宣布,通过与产业技术综合研究所、电装等的共同研究,制作出了采用金刚石半导体的反转...

日期 2016-08-26   
世界首例金刚石半导体真空电力开关

世界首例金刚石半导体真空电力开关

由日本科技厅(JST)主持领导的一项研究,近日宣布来自国家先进工业科技研究所(AIST)和国立材料研究(NIMS...

日期 2013-08-13   

采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件

名称采用可调整的金刚石半导体发射极的场致发射电子器件公开号1069825公开日1993.03.10主分类号H01J1

日期 2010-12-09   

日本大阪大学与产综研利用金刚石半导体制作出SBD

2010年9月14~17日于长崎大学举行的第71届应用物理学会学术演讲会上,日本大阪大学与产业技术综合研究所宣布,采用金刚石半导体制作出肖特基势垒二极管(SBD),调查...

日期 1970-01-01   

大阪大学利用金刚石半导体制出SBD

在2010年9月14~17日于长崎大学举行的第71届应用物理学会学术演讲会上,日本大阪大学与产业技术综合研究所宣布,采用金刚石半导体制作出肖特基势垒二极管(SBD),调...

日期 2010-09-29   

法国导电性能极强的金刚石半导体面世

法国国家科研中心固体物理和结晶实验室的科学家,最近研制出一种比普通金刚石半导体导电性能高出近1万倍的新型金刚石半导体,为电子元器件的开发提供了新材料。金刚石由碳原子构成...

日期 2006-07-12   
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