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天岳先进申请大尺寸金刚石的拼接生长方法专利,提高单晶金刚石的质量和尺寸

金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种大尺寸金刚石的拼接生长方法“,公开号CN202410579038.2...

日期 2024-06-07   

改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!

改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!
改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!
改进的化学气相沉积生长方法,消除杂质,制备单层单晶石墨烯!

科学家们研究了一个真正的单层,即大面积石墨烯薄膜覆盖在大面积铜箔上。改进了化学气相沉积(CVD)生长方法,消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“完美”的单层单...

日期 2019-09-05   
具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置

具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置

申请号:201610005448.1申请人:济南中乌新材料有限公司发明人:王笃福王盛林王希江潘子明王希玮徐昌摘要...

日期 2016-06-20   

金刚石同质外延横向生长方法

申请号:201510023907.4申请人:王宏兴发明人:王宏兴李硕业王玮张景文卜忍安侯洵摘要:本

日期 2015-06-03   

金刚石薄膜生长方法是怎样分类的?

答:金刚石薄膜的生长方法有很多种,归纳起来可分为两大类。一类是化学气相沉积方法,简称CVD;另一类是物理气相沉积方法,简称PVD法。这两类方法中,前者多使用真空度不高但...

日期 2012-12-06   

一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法

专利号:201110119079申请人:天津理工大学技术简要说明:一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法,采用多步生长法来沉积纳米金刚石薄膜,具体步骤如下:

日期 2012-06-04   

一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法

专利号:CN102212795A申请人:天津理工大学一种高致密纳米金刚石薄膜的生长方法,采用多步生长法来沉积纳米金刚

日期 2012-04-12   

单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法

名称单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法公开号1132267公开日1996.10.02主分类号C23C1

日期 2010-12-10   

一种宝石级立方金刚石晶体的连续生长方法

名称一种宝石级立方金刚石晶体的连续生长方法公开号1085611公开日1994.04.20主分类号C30B29/04&

日期 2010-12-09   
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第六届磨料磨具磨削展览会暨2023金刚石产业大会

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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。