单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法 _专利

单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法

关键词单晶硅 , 取向 , 金刚石膜 , 生长方法 |2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法公开号1132267公开日1996.10.02主分类号C23C1

名称	单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法
公开号	1132267	公开日	1996.10.02
主分类号	C23C16/26	分类号	C23C16/26
申请号	95119376.7
分案原申请号		申请日	1995.12.12
颁证日		优先权
申请人	吉林大学	地址	130023吉林省长春市解放大路123号
发明人	顾长志; 金曾孙	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	吉林大学专利事务所	代理人	王恩远
摘要	在单晶硅上大面积（１００）取向金刚石膜的生长方法，是将单晶硅衬底在金刚石粉中研磨产生划痕，以Ｈ#-[2]、ＣＨ#-[4]、ＣＯ为反应气体，采用微波制膜技术，控制系统压力３０～４５ｔｏｒｒ范围，严格控制衬底温度在８７０～８９０℃范围，并使衬底以０．２～１转／分的转速匀速转动，可制备大面积均匀生长的（１００）取向的金刚石膜。本发明具有工艺简单、设备少、对衬底的解理面要求宽松、生长速度快，生长面积大等特点，适于生产。

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