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       5月26日，综合多家日媒消息——日本经济产业大臣西村和美国商务部长莱蒙德在当地时间本月26日于美国底特律举行会谈，预计将在会谈结束后就日美将围绕芯片、尖端技术进行合作的联合声明。据悉，基于该声明，两国将在围绕芯片、尖端关键技术等方面展开合作。其中包含了围绕下一代芯片开发的日美共同研发路线图，利用生物技术的创新性医药、人工智能（AI）)及量子技术等具体化合作。据日媒剧透的该声明的部分内容显示：声明将强调——一是为了经济繁荣和强化经济安保、维持和强化地区经济秩序，日美合作的深化不可缺少，“印太经济框架(IPEF)”等姜维重要平台。二是要强化芯片的供应链，厘清并制定关于下一代芯片的技术开发和人才培养的工程表。在确保芯片来源多元化成为经济安保焦点的情况下，美国政府计划在近期设立“国立芯片技术中心”，并与日本政府去年设立的“技术研究组合最尖端芯片技术中心”进行合作。三是此举也是为了强化针对中国的经济安全保障的一环。随着中国推进对生物、人工智能、量子等领域的巨额投资，日美需要在生物领域强化制药相关的供给网，将合作促进新药相关新兴企业之间的合作。针对在基础设施开发等方面，中国强化与太平洋岛屿国家的合作，日美也将推动对包括创业公司、新兴企业在内的民间企业的合作。

       与此相关，日本最近两则关于芯片领域的技术研发信息也引发诸多关注。一是日本佐贺大学研发的“金刚石芯片”成为世界输出功率最大的芯片，并获得“年度芯片奖”。据悉——佐贺大学的研究小组使用“金刚石芯片”实现了世界最高的输出功率，获得了由尖端技术相关的专业报纸评出的“年度芯片”奖项。众所周知，芯片是控制电子设备输出功率精密零件，虽然现在以硅材料为主流，但是作为性能更加优越下一代材料，金刚石备受瞩目。而且，与硅制芯片相比，金刚石芯片可以控制5万倍的输出电力，今后活用的范围将扩大到比现在正在普及的“5G”更加先进的“6G”以及宇宙空间。佐贺大学的该研究小组表示——“将以3~4年后实现量产化为目标进一步加速开发”。二是设在日本群马县高崎市的瑞萨电子将批量生产“SiC功率芯片”。据悉，随着电动汽车(EV)市场的迅速扩大，对拥有出色的节能性能的SiC系列功率芯片的需求逐年增加，引发了企业和市场的供给等需求。瑞萨电子决定对2014年10月关闭的甲府工厂追加900亿日元规模的设备投资，预定在2024年上半年重新启动生产，并在2025年量产EV中常见的硅(Si)制绝缘栅型双极晶体管(IGBT)等功率芯片。