反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺 _专利

反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺

关键词离子束 , 刻蚀 , 金刚石 , 薄膜图形 , 工艺 |2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺公开号1224077公开日1999.07.28主分类号C23F1/02

名称	反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺
公开号	1224077	公开日	1999.07.28
主分类号	C23F1/02	分类号	C23F1/02
申请号	98122855.0
分案原申请号		申请日	1998.12.17
颁证日		优先权
申请人	中国科学院上海冶金研究所	地址	200050上海市长宁区长宁路865号
发明人	任琮欣; 江炳尧; 王效东; 杨艺榕	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	上海华东专利事务所	代理人	沈德新
摘要	本发明涉及一种反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺。金刚石薄膜由热丝法生长在硅片上，刻蚀图形在具有卡夫曼型离子源的离子束刻蚀机上，采用纯氧反应离子束，以铝膜为掩模进行。铝掩模可由光刻、腐蚀或氩离子束刻蚀形成。氧分压下，金刚石和铝的刻蚀速率差别很大，金刚石对铝的刻蚀选择比可达到４０。刻蚀后残留的铝由腐蚀去除，是一种工艺简单，重复性好，刻蚀线条清晰、陡直，可与微电子工艺兼容的金刚石图形化技术。

① 凡本网注明"来源：超硬材料网"的所有作品，均为河南远发信息技术有限公司合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明"来源：超硬材料网"。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。

② 凡本网注明"来源：XXX（非超硬材料网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

③ 如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的，请在30日内进行。

※ 联系电话：0371-67667020