名称 | 优质金刚石单晶的生长技术 | ||
公开号 | 1073616 | 公开日 | 1993.06.30 |
主分类号 | B01J3/06 | 分类号 | B01J3/06;C30B29/04 |
申请号 | 91107563.1 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1991.12.24 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |
发明人 | 亓曾笃; 曹振骏; 周军学; 陈光耀; 朱德渝; 陈文∴; 柴 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 聂淑仪 |
摘要 | 本发明是一种优质金刚石的生长技术,它是以晶体生长理论为依据所创立的新技术,属国内首创,未见国外报道。该技术在传压介质、试样组装等方面均不同于现在正在采用的技术。本发明在生长金刚石的超高压高温腔体中建立了适合金刚石生长的压力场和温度场,适合用于国内自己设计制造的六面顶超高压高温设备. |