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一种金刚石单晶生长腔体温度控制装置

关键词 金刚石单晶 , 生长腔体|2016-06-23 08:44:01|行业专利|来源 中国超硬材料网
摘要 申请号:201620008436.X申请人:济南中乌新材料有限公司山东贝斯特环境技术有限公司发明人:王盛林王笃福王希江王希玮徐昌摘要:一种金刚石单晶生长腔体温度的控制装置,包括控制...
  申请号:201620008436.X
  申请人:济南中乌新材料有限公司 山东贝斯特环境技术有限公司
  发明人:王盛林 王笃福 王希江 王希玮 徐昌

  摘要:一种金刚石单晶生长腔体温度的控制装置,包括控制器、电流测量模块、电压测量模块、变压器和可控硅调压器,可控硅调压器一方面与电源连接,一方面与变压器的初级侧连接,变压器的初级侧和次级侧均连接有电流测量模块和电压测量模块,可控硅调压器、电流测量模块和电压测量模块均与控制器连接。该装置结构简单,能够实时精确控制,采用了两级PID运算,根据变压器次级侧反馈值进行的PID运算为主PID值,根据初级侧反馈值进行的PID运算为次PID值,次PID对主PID进行微调后输出至可控硅调压器,可控硅调压器根据接收到的控制器控制电压/电流输出相应的电压,从而实现金刚石晶体生长腔体的电压或功率的实时控制。
  主权利要求:1.一种金刚石单晶生长腔体温度控制装置,包括控制器、电流测量模块、电压测量模块、变压器和可控硅调压器,其特征是:可控硅调压器一方面与电源连接,一方面与变压器的初级侧连接,变压器的初级侧和次级侧均连接有电流测量模块和电压测量模块,可控硅调压器、电流测量模块和电压测量模块均与控制器连接。
 

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