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       金融界2025年1月15日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司取得一项名为“生长腔体组件”的专利，授权公告号 CN 222332133 U，申请日期为 2024 年 3 月。

       专利摘要显示，本实用新型涉及金刚石长晶技术领域，具体而言，涉及一种生长腔体组件。生长腔体组件包括腔体；刻度标尺，刻度标尺包括多个设置在腔体内壁上的刻度单元，多个刻度单元沿腔体的高度方向依次布置。如此能够快速高效地测量金刚石生长厚度，调节生长参数，从而便于控制金刚石长晶厚度。

       天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币，实缴资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目51次，专利信息396条，此外企业还拥有行政许可82个。