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官方微信摘要 申请号：201110173385申请人：江苏顺大半导体发展有限公司摘要：本发明公开了一种液体抛光单晶硅片的方法，采用混合了细粒度金刚石磨料的硅溶胶作为液体磨削介质，在高速转动的涡轮...
申请号： 201110173385申请人： 江苏顺大半导体发展有限公司
摘要：本发明公开了一种液体抛光单晶硅片的方法，采用混合了细粒度金刚石磨料的硅溶胶作为液体磨削介质，在高速转动的涡轮带动下，磨削液相对于单晶硅片加工表面做高速运动，磨削液中的金刚石液力推动下对单晶硅片产生一定碰撞和刮擦作用，实现对单晶硅片得低应力磨削。本发明提供的液体抛光单晶硅片的方法，使单晶硅片的表面仅存在细小的磨料划痕，不会像化学机械抛光法加工的硅片那样留下腐蚀坑，同时液体抛光后单晶硅片应力层厚度可控制在５ｎｍ以下。
独立权利要求：１．一种液体抛光单晶硅片的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：（１）将粒径为５μｍ－１５μｍ的金刚石磨料浸泡于无水乙醇溶液中，通过超声波清洗该金刚石磨料１．０ ｈ －１．５ ｈ；（２）将清洗后的金刚石磨料滤出，并置于７０℃－９０℃的烘箱中干燥２ ｈ －２．２ ｈ；（３）将干燥后的金刚石磨料浸渍于ＫＨ５５０硅烷偶联剂与无水乙醇的体积比为１：４．５－１：５．５的混合液中，密闭加热至５５℃－６５℃，保温１．０ ｈ －１．５ ｈ；（４）使用滤纸滤出金刚石磨料，置于１４０℃－１６０℃的烘箱中干燥２ ｈ －２．２ ｈ；（５）将金刚石磨料与固相含量为４．５％－５．５％的硅溶胶按质量比为１：９８－１：１００的比例混合，在转速为１００ｒ／ｍｉｎ－１１０ｒ／ｍｉｎ的条件下，搅拌混合１．０ ｈ －１．５ｈ，获得磨削液；（６）将干燥后的单晶硅片水平置于磨削液内，单晶硅片的上方和下方设有涡轮，调节单晶硅片的高度及磨削液量，使单晶硅片的上表面与位于其上方的涡轮底部距离为３ｃｍ－３．５ｃｍ，单晶硅片的下表面与位于其下方的涡轮顶部距离也为３ｃｍ－３．５ｃｍ，且单晶硅片的上表面与磨削液的液面距离为２．５ｃｍ－３ｃｍ；（７）同时启动两个涡轮电机，设定其工作时间为１ｈ－１．５ｈ，转速为２００００ｒ／ｍｉｎ－２２０００ｒ／ｍｉｎ，两个涡轮的旋转方向相同；（８）取出单晶硅片，置于无水乙醇中，使用超声波清洗１ｈ－１．５ｈ；（９）将单晶硅片置于室温下干燥５ｈ－８ｈ，完成抛光。
豫公网安备41010202002335号