碳化硅场控双极型开关 _专利

碳化硅场控双极型开关

关键词碳化硅 , 场控双极型开关 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅场控双极型开关公开号1254442公开日2000.05.24主分类号H01L29/739

名称	碳化硅场控双极型开关
公开号	1254442	公开日	2000.05.24
主分类号	H01L29/739	分类号	H01L29/739;H01L29/24
申请号	98804658.X
分案原申请号		申请日	1998.03.20
颁证日		优先权	[32]1997.4.30[33]US[31]08/846,286
申请人	克里研究公司	地址	美国北卡罗来纳州
发明人	R·辛格; J·W·帕尔穆尔	国际申请	PCT.US98/05487 1998.3.20
国际公布	WO98.49731 英 1998.11.5	进入国家日期	1999.10.29
专利代理机构	中国专利代理(香港)有限公司	代理人	邹光新; 张志醒
摘要	场控双极性开关具有带有上表面和下表面的第一导电类型的单晶碳化硅体材料衬底。第二导电类型碳化硅的第二外延层制作在衬底的上表面上。第二导电类型碳化硅的第—外延层制作在碳化硅的第二外延层上。多个第三导电类型碳化硅区域制作在第二外延层中以便在第二外延层中形成栅极栅格。第二导电类型碳化硅的第三外延层制作在第二外延层上，第二导电类型碳化硅的第四外延层制作在第三外延层上。第四外延层的载流子浓度高于第一、第二和第三外延层。第一欧姆接触制作在第四外延层上，第二欧姆接触制作在衬底的下表面上。欧姆栅极接触连接到栅极栅格，以便在向欧姆栅极接触施加偏置电压时夹断第一欧姆接触和第二欧姆接触之间的电流。

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