一种纳米碳化硅晶须的制备方法 _专利

一种纳米碳化硅晶须的制备方法

关键词纳米碳化硅晶须 , 制备方法|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称一种纳米碳化硅晶须的制备方法公开号1281910公开日2001.01.31主分类号C30B29/36

名称	一种纳米碳化硅晶须的制备方法
公开号	1281910	公开日	2001.01.31
主分类号	C30B29/36	分类号	C30B29/36
申请号	99110846.9
分案原申请号		申请日	1999.07.21
颁证日		优先权
申请人	中国科学院山西煤炭化学研究所	地址	030001山西省太原市165信箱
发明人	刘朗;李轩科;沈士德;凌立成	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	中国科学院山西专利事务所	代理人	魏树巍;张承华
摘要	一种纳米碳化硅晶须的制备方法，将净碳质溶胶和净硅溶胶按碳和硅摩尔比（3－8）∶1于室温下搅拌混合24小时，制得二元净炭质－硅溶胶；在 100－150℃干燥4－6小时得元干凝胶，或进行超临界干燥20－180分钟，得到二元气凝胶，然后进行碳热还原反应，最后脱碳，脱去SiO#-[2]，制得纯纳米碳化硅晶须。该方法晶须转化率高，该碳化硅晶须具有高熔量、高强度、高模量，热膨胀率低及耐腐蚀、耐磨等优良特性。

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