碳化硅中形成蓝光发射二极管 _专利

碳化硅中形成蓝光发射二极管

关键词碳化硅 , 蓝光发射二极管 |2010-12-22 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅中形成蓝光发射二极管公开号1044549公开日1990.08.08主分类号H01L33/00

名称	碳化硅中形成蓝光发射二极管
公开号	1044549	公开日	1990.08.08
主分类号	H01L33/00	分类号	H01L33/00
申请号	89109795.3
分案原申请号		申请日	1989.12.14
颁证日		优先权	[32]1988.12.14[33]US[31]284,293;[32]1989.8.28[33]U
申请人	克里研究公司	地址	美国北卡罗来纳州
发明人	约翰·Ａ·埃德蒙	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	中国国际贸易促进委员会专利代理部	代理人	付康
摘要	本发明包含有在碳化硅中形成的发光二极管，它发射介于约４６５至４７０ｎｍ，或介于约４５５至４６０ｎｍ，或介于约４２４至４２８ｎｍ波长的可见光。该二极管包含具有第一导电型的α型碳化硅的基片和在具有相同导电型的用作为基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延层。一个在第一外延层上的α 型碳化硅的第二外延层，具有与第一层相比相对高的导电型，并与第一外延层形成一个Ｐ－N结。

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