碳化硅的制取方法 _专利

碳化硅的制取方法

关键词碳化硅 , 制取方法 |2010-12-21 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称碳化硅的制取方法公开号1042522公开日1990.05.30主分类号C01B31/36

名称	碳化硅的制取方法
公开号	1042522	公开日	1990.05.30
主分类号	C01B31/36	分类号	C01B31/36
申请号	88105168.3
分案原申请号		申请日	1988.11.08
颁证日		优先权
申请人	东北工学院	地址	辽宁省沈阳市和平区文化路一段一号
发明人	冯乃祥; 徐秀芝; 李席梦	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	东北工学院专利事务所	代理人	安宇宏
摘要	一种制取碳化硅晶体的方法。该方法是将制取碳化硅的反应料置于石墨化炉的保温层内，生产石墨电极时同炉生产碳化硅。应用此方法可使石墨化炉的能源得到充分利用，降低碳化硅的生产成本。提高石墨电极制造厂的经济效益。

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