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       近日，法国格勒诺布尔的Diamfab公司和HiQuTe Diamond公司宣布建立战略技术合作伙伴关系，共同致力于人造金刚石半导体技术的开发。此次合作涵盖了从衬底生产到电子元件制造的关键阶段，旨在通过掺杂层的外延技术，推动金刚石半导体在工业领域的广泛应用。

       据悉，HiQuTe Diamond公司将利用其在高质量金刚石衬底生产方面的专业知识，为合作提供经过优化的衬底。这些衬底经过特殊设计，能够最大限度地提高电力电子设备的性能。而Diamfab公司则负责使用先进的晶体生长工艺，对掺杂层进行外延生长，并制造高性能组件。

       两家公司表示，由于地理位置接近和行业敏捷性，他们有信心加快技术迭代周期，迅速实现前所未有的技术和财务绩效。这一合作将使金刚石半导体技术更快地成为工业现实，为电气化的广泛采用和经济部门的脱碳提供有力支持。

       Diamfab公司的首席执行官Gauthier Chicot表示：“金刚石半导体的性能水平比基于传统材料的组件高出10-40倍，是实现电气化和脱碳目标的关键。通过与HiQuTe Diamond合作，我们拥有意愿、技术和人力资源，在法国创造这个卓越的行业。”

       HiQuTe Diamond公司的首席执行官Florent Alzetto也指出：“等离子体辅助CVD生长工艺可以生产出特别适用于电力电子要求苛刻的硼掺杂金刚石。这种可持续的工艺不仅确保了对物理特性的严格控制，还能有效应对性能挑战。我们和Diamfab的专业知识融合，为应对性能和能源效率方面的全球工业挑战提供了前所未有的机会。”

       根据计划，两家公司将开始合作，使用Diamfab优化的金刚石外延技术，在HiQuTe Diamond衬底上制造第一个系列的垂直肖特基二极管。预计第一批原型将于2025年春季推出，这将标志着金刚石半导体技术在工业应用方面的重要突破。

       此次合作不仅展示了法国在高科技领域的创新实力，也为全球半导体行业的发展注入了新的活力。