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随着疫情常态化，功率器件景气度随工业、汽车需求复苏；全球消费电子需求也跟着增长。我们预估此轮功率器件景气度有望持续到明年上半年。

成本上行压力增加，IDM模式优势显示。在产能紧缺之下，MOS等功率器件交货周期拉长，部分晶圆代工厂上调代工价格，使得功率Fabless公司或面临成本上行压力，而IDM模式的功率公司，能保证自身产能需求，在同类产品价格上涨的情况下业绮将有较大弹性。

受到全球新冠疫情的影响，2020年全球功率半导体出现下滑，从市场空间角度看，全球 2020 年 79 亿美金 MOSFET 市场，其中中国在 2017 年 67 亿美金全球市场中占 40%，大约 27 亿美金， 按照 2020 年仍然占比 40%计算，预计市场空间 31.6 亿美金，即 221 亿元 RMB。

　　● 汽车是最大应用市场，消费电子占比提升

　　Mosfet 下游应用广泛，主要运用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴领域。

　　从下游具体的占比来看，全球 MOSFET 市场占比较大的几块领域有：汽车 30%、 工业和医疗 20%、消费电子（含家电）21%、计算机领域 15%、通信 5%；国内 MOSFET 来看，占比较大的几块有：汽车 32%、工业和医疗 26%、消费电子 22%、计算机 8%、 通信领域 8%（下左图是全球市场构成，右图是国内市场构成）。

　　新能源车功率半导体价值量大幅增加。新增功率器件价值量主要来自于汽车的“三电”系统，包括电力控制，电力驱动和电池系统。在动力控制单元中，IGBT或者SiC模块将高压直流电转换为驱动三相电机的交流电；在车载充电器AC/DC和DC/DC直流转换器中，都会用到IGBT或者SiC、 MOS. SBD单管，或GaN：在电动助力转向、水泵、油泵、PTC、空调压缩机等高压辅助控制器中都会用到IGBT单管或者模块；在ISG启停系统、电动车窗雨刮等低压控制器中都会用到MOS单管。根据Infineon数据，2020年，48V轻混汽车需要增加90美元功率半导体，电动汽车或者混动需要增加330美元功率半导体。

　　● 第三代化合物半导体迎来发展新机遇

　　半导体经过近百年的发展后，目前已经形成了三代半导体材料，第三代半导体材料主要以碳化硅（ SiC） 、氮化镓（ GaN） 、氧化锌（ ZnO） 、金刚石、氮化铝（AIN） 为代表的宽禁带半导体材料，其中最为重要的就是SiC和GaN。受到电动汽车和混动汽车、充电桩和工业电源应用驱动，碳化硅（SiC） 将保持快速发展，2020年市场规模约7亿美元，Yole预测，2025年将达到38亿美元，2020-2025年复合增长率达到35%。三星、OPPO、小米等众多智能手机厂商推出了集成了功率GaN器件的快速充电器，还有其他品牌，快充市场迅速发展，其他还有5G基站等需求的推动，功率GaN市场将呈现快速发展态势，2020年GaN市场约1亿美元，Yole预测，2025年将达到5亿美元，2020-2025年复合增长率达到42%。

　　● 全球功率半导体呈现欧美日三足鼎立之势

　　据 Omdia 数据，全球功率半导体器件与模组市场规模呈现欧美日三足鼎立之势，英飞凌位居第一，占比19%，安森美次之，占比8.4%，前十大公司合计市占率达到58.3%。国内功率厂商如斯达半导、士兰微、华润微等在销售上也有明显进步，但从绝对价值量和占比来说，国产替代空间仍十分广阔。

　　● 中国功率半导体产业迎来发展良机

　　我国半导体厂商主要为IDM模式， 生产链较为完善，产品主要集中在二极管、低压MOS器件、晶间管等低端领域，IGBT逐渐获得突破，生产工艺成熟且具有成本优势，行业中的龙头企业盈利水平远高于台湾地区厂商。而在新能源、电力、4九道交通等 高端产品领域，国内仅有极少数厂商拥有生产能力，高端产品市场主要被英飞凌、安森美、瑞萨、东芝等欧美日厂商所垄断。

　　目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据，国内以斯达半导体为首的IGBT企业发展快速, 在工控、电动汽车、风电、光伏、电力及高铁等领域逐渐取得突破，不断提升份额，2019年，斯达半导体电动汽车IGBT模块在中国电动汽车领域的占比达到14%。

　　目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。数据显示，2020年全球功率半导体市场需求规模达143亿美元，中国是全球最大的功率半导体消费国，2020年市场需求规模将达到56亿美元，占全球需求比例约为39%。伴随国内功率半导体行业进口替代的发展趋势，未来中国功率半导体行业将继续保持增长，2021年市场规模有望达到57亿美元。在新能源（电动汽车、光伏、 风电）、工控、变频家电、T设备等需求下，中国需求增速将继续高于 全球，行业稳健增长+国产替代。