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       近日，应用物理学报发表了一篇低温生长金刚石薄膜的新方法，这为未来电子设备新应用又打开了一扇新的大门。
        在工业和高技术设备应用中，金刚石以其卓越的硬度、光学透明性、平滑性，以及对化学腐蚀、辐射和电场的阻抗性而备受关注。近年来，研究者将半导体硼介入到金刚石生产工艺中，通过镀附从而使金刚石具有传导性。过去，制备金刚石镀附薄膜所需的高温条件容易损坏非常敏感的电子器件，诸如生化传感器，半导体和光子光学设备；而在电子器件中通过掺金刚石镀层使得电子设备具备类金刚石特性则更是难上加难。

        来自美国伊利诺斯州Advanced Diamond Technologies公司的一个研究团队，近日研制出低温（460-600℃）下生长掺硼金刚石薄膜，并成功将其镀附在许多电子设备上。

        尽管低温沉积生长掺硼金刚石薄膜的方法并不是最新的技术概念，但研究者们并未在现有技术和文献中找到质量上乘且商用生产效率高的方法。因此，他们通过降低温度并调整甲烷和氢气比例的方法，成功研制出了高质量的金刚石薄膜；且薄膜的传导性和平滑性等特性跟高温下生长出的薄膜相比，均未出现明显变化。

        鉴于此，科学家们还想进一步优化该方法，期望能够在低于400℃的低温下沉积出掺硼金刚石薄膜。

      "沉积温度越低，我们能够应用的电子设备就越多。"Hongjun Zeng 如是说，"这将使得电子产品类型向超薄、光滑、传导性好的金刚石镀附方向发展。"

        该研究发表在应用物理学报上，作者为 Hongjun Zeng，Prabhu U. Arumugam，Shabnam Siddiqui 和 John A. Carlisle。

         研究得到了Advanced Diamond Technologies公司和阿贡国家实验室的支持。（编译自Science Daily:'Low Temperature Boron Doped Diamond'  翻译：王现)