技术鉴定说明:应用无冲击“分离”式(БАРС)高压仪器培育高质大的合成金刚石单晶体。综合研制工艺能培育下列种类的合成金刚石晶体。Ib-IaA 型单晶体(尺寸达10mm,重量达4克拉);Iia型无氮单晶体,尺寸达5mm;Iib(р-型)半导体金刚石,尺寸达5mm;n-型半导体金刚石,尺寸 达5mm;Ia+ Ib型无位错等离子,容积达30mm3。实际应用水平制造试验样品,进行研究,根据情况可进行小批量样品生产。专利保护拥有“诺浩”。合作意向:共同研制 用金刚石单晶体制造的仪器,装置和产品,试验性批量供货。
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