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随着碳化硅,氮化镓材料产业化的不断成熟,具有更高的禁带宽度,更高耐压强度的第四代半导体材料也逐渐成立全球科研人员关注的焦点。目前,第四代半导体材料具有代...
摘要:在1400℃-1900℃的热压温度下用1wt%Al2O3-1wt%Y2O3的添加剂采用液相烧结法制备多孔碳化硅陶瓷。压缩断裂的纵向应变以更大的气孔...
名称含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法公开号1369463公开日2002.09.18主分类号C04B
名称一种原位热压固-液相反应制备钛碳化硅体材料的方法公开号1250039公开日2000.04.12主分类号C04B3
名称液相包裹热反应电子陶瓷微粉制备方法公开号1088147公开日1994.06.22主分类号B28B1/24&nbs
10月28日,中国超硬材料网总经理石超、顾问吕华伟、南阳富栊...
为了解超硬材料及超硬材料制品发展现状,10月22日,中国超硬...