含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法 _专利

含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法

关键词碳化硅陶瓷 , 液相烧结法 |2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法公开号1369463公开日2002.09.18主分类号C04B

名称	含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法
公开号	1369463	公开日	2002.09.18
主分类号	C04B35/565	分类号	C04B35/565;C04B35/573;C04B35/64
申请号	02111060.3
分案原申请号		申请日	2002.03.15
颁证日		优先权
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	地址	200050上海市定西路1295号
发明人	谭寿洪;廖陆林;江东亮	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	潘振∴
摘要	本发明涉及一种含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法。其特征在于所述的碳硼铝化合物相的组成为Al#-[8]B#-[4]C#-[7]。具体工艺是，首先按酚醛树脂溶液∶B#-[4]C粉∶Al＝1∶0.1－0.6∶0.4－1.5(质量)比例的烧结助剂按 α－SiC粉料的2～15％(质量)加入；其次，具体配比是烧结助剂与SiC粉料混合物∶SiC球∶无水乙醇＝l∶3∶1(质量)；最后，在流动Ar气保护下，烧结材料，烧结温度为1800℃－1950℃，保温时间1－4小时，在烧结过程C－ B#-[4]C－Al烧结助剂反应合成Al#-[8]B#-[4]C#-[7]，从而生成含碳硼铝化合物相的SiC陶瓷。本发明比常用的以B#-[4]C和C作为烧结助剂的热压工艺低200℃。

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