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官方微信摘要 名称利用热灯丝直流等离子体进行金刚石成核和沉积的设备及方法公开号1261927公开日2000.08.02主分类号C2
| 名称 | 利用热灯丝直流等离子体进行金刚石成核和沉积的设备及方法 | ||
| 公开号 | 1261927 | 公开日 | 2000.08.02 |
| 主分类号 | C23C16/26 | 分类号 | C23C16/26;H01J37/32 |
| 申请号 | 98806931.8 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1998.07.07 | |
| 颁证日 | 优先权 | [32]1997.7.7[33]US[31]08/888，830 | |
| 申请人 | CVD金刚石公司 | 地址 | 加拿大安大略省 |
| 发明人 | 孙碧武; 刘焕明 | 国际申请 | PCT.CA98/00645 1998.7.7 |
| 国际公布 | WO99.2753 英 1999.1.21 | 进入国家日期 | 2000.01.05 |
| 专利代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 摘要 | 利用热灯丝DC等离子体沉积使金刚石成核和生长的方法和设备。该设备采用电阻式加热的灯丝组离解反应物气体中的氢。对于二面的金刚石生长，使用基底－热灯丝－栅极－热灯丝－基底的结构，或基底－热灯丝－热灯丝－基底的结构。对于后一种结构，用两个独立的灯丝组作为热灯丝和栅极，并保持灯丝组之间的AC或DC等离子体。对于这种和其他电极结构，对栅电极施加相对于热灯丝的正偏压，以保持等离体。等离子体的电位梯度跨越栅极，热灯丝将从等子体中抽取的离子超向灯丝。为进一步提高沉积速度，对灯丝组施加相对于基底夹持器的负偏压，使得在基底和灯丝组之间的DC等离子体也得以保持。在成核期间，对与基底夹持器相邻的灯丝施加相对于基底的正偏压，使得离子被加速朝向基底，接着，又提高了生长前体流向基底，导致在基底上产生高的金刚石成核密度，而不需要涂擦或接种金刚石的预处理。这种成核方法简化了生长过程，并提供了一种在单晶基底，如Si（100）上，既方便又经济地进行金刚石晶核异相外延生长的方法。 | ||
豫公网安备41019702003646号