名称 | 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置 | ||
公开号 | 1196401 | 公开日 | 1998.10.21 |
主分类号 | C23C16/26 | 分类号 | C23C16/26 |
申请号 | 97103251.3 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1997.04.17 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 哈尔滨工业大学 | 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市西大直街92号 |
发明人 | 夏立芳; 孙明仁; 马欣新; 孙跃 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 哈尔滨工业大学专利事务所 | 代理人 | 李依群 |
摘要 | 本发明提出一种材料表面大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置,具体说是在密闭的真空室内充入含碳气体,并对工件施加负高压电脉冲,激发等离子体,在工件温度不变的条件下,在其表面形成一层膜基间无界面的大面积类金刚石碳膜。其装置为一个具有封闭磁场的真空室,室外设高压脉冲电源及磁场,室内设工件台或支架及高电压引入电极,以及油冷、水冷系统。采用本发明可以对成批工件,在其表面制取一层无界面的高结合力的类金刚石碳膜。 |