热阴极辉光等离子体化学相沉积制备金刚石膜的工艺 _专利

热阴极辉光等离子体化学相沉积制备金刚石膜的工艺

关键词等离子体 , 化学相沉积 , 金刚石膜|2010-12-10 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称热阴极辉光等离子体化学相沉积制备金刚石膜的工艺公开号1107900公开日1995.09.06主分类号C23C16

名称	热阴极辉光等离子体化学相沉积制备金刚石膜的工艺
公开号	1107900	公开日	1995.09.06
主分类号	C23C16/26	分类号	C23C16/26
申请号	94116283.4
分案原申请号		申请日	1994.09.24
颁证日		优先权
申请人	吉林大学	地址	130023吉林省长春市解放大路123号
发明人	金曾孙; 吕宪义; 姜志刚; 邹广田	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	吉林大学专利事务所	代理人	王恩远
摘要	本发明的热阴极辉光PCVD制备金刚石膜的工艺属于一种制膜技术。工艺过程是 :将清洗好的基片置于真空罩(室)内的阳极底座上，抽真空后，充入原料气体，在两极间加直流电压产生辉光，并保持阴极的温度在500℃以上。本工艺的阴极材料采用电子脱出功小、熔点高的金属制成，例如:Ta、Mo、W等。这种工艺的工作气压范围宽，辉光稳定，碳氢化合物的浓度较高，从而使金刚石膜的质量好，生长速率高，面积易于扩大，可制备出大面积厚膜，工艺条件也易于控制。

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