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申请号: 201720527928.4

申请日: 2017.05.12   

申请人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

发明人: 李文君; 周霖; 程云; 冯真; 李春霞; 单李军; 邓德荣; 黎明; 杨兴繁

      摘要： 

      本实用新型公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本实用新型具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。 

      主权利要求:

      一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，其特征在于包括用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于环形外凸出部外侧的外表面；所述环形外凸出部的高度大于环形内凸出部的高度；所述环形外凸出部的外表面为倾斜平面或者弧形面。