超硬材料网

　　申请号：201610071886.8
　　申请人：北京华进创威电子有限公司
　　发明人：詹琳

　　摘要：本发明一种碳化硅晶片双面抛光方法，包括将碳化硅晶片在双面抛光机依次进行粗抛光、半精抛和精抛光；其中，进行粗抛光时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为5-15um，抛光压力为40-100kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行半精抛时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为0.25-3um，抛光压力为60-120kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行精抛光时，使用碱性的二氧化硅抛光液，加入适当比例的氧化剂，调节精抛液PH值为9-13，抛光压力为80-140kg，抛光垫为绒毛类结构的抛光垫。通过本发明的双面抛光方法，可节省一倍加工时间，提高碳化硅晶片平整度，抛光后表面质量一致，无橘皮、划伤、雾状等缺陷。

　　主权利要求：1.一种碳化硅晶片双面抛光方法，其特征在于，包括将碳化硅晶片在双面抛光机依次进行粗抛光、半精抛和精抛光；其中，进行所述粗抛光时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为5-15um，抛光压力为40-100kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行所述半精抛时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为0.25-3um，抛光压力为60-120kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行所述精抛光时，使用碱性的二氧化硅抛光液，加入适当比例的氧化剂，调节精抛液PH值为9-13，抛光压力为80-140kg，抛光垫为绒毛类结构的抛光垫。
　　2.如权利要求1所述的碳化硅晶片双面抛光方法，其特征在于，所述二氧化硅抛光液包括二氧化硅胶体悬浮剂与离子水，所述二氧化硅胶体悬浮剂与所述离子水按1:5-1:15体积混合。
　　3.如权利要求1所述的碳化硅晶片双面抛光方法，其特征在于，所述氧化剂占所述二氧化硅抛光液重量的10-20%。