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　　申请号：201510267092.4
　　申请人：埃维克技术有限公司
　　发明人：崔容瑄 李瑜基 韩致福

　　摘要：本发明涉及利用化学气相沉积(CVD)工艺的商用金刚石电极及其制造方法，在金刚石电极的制造方法中，利用热灯丝化学气相沉积(HFCVD)工艺在碳质材料或导电性基板上形成导电性金刚石薄膜，在实施用于形成金刚石薄膜的工艺条件之前，流入碳源供给气体以在铌基板的表面形成碳化铌(NbC)，在形成导电性金刚石薄膜时，将薄膜分2次以上进行沉积，由此，在形成导电性金刚石薄膜时，填埋随之而来的针孔，最大限度抑制在电解氛围下电解液与基板的接触，使基板的腐蚀缓慢，从而提供具有长时间寿命的金刚石电极。 　　主权利要求：1.一种制造金刚石电极的方法，其特征在于，包括：向腔室内注入氢气和碳源气体而在基板表面形成碳化涂层的步骤；通过调节所述腔室内的氢气、碳源气体和硼源气体的投入比率来调整在所述基板上沉积的金刚石晶体的大小，并且至少分2次以上在所述基板上形成导电性金刚石薄膜的步骤。
　　2.根据权利要求1所述的金刚石电极的制造方法，其特征在于，进一步包括在所述形成碳化涂层的步骤之前，通过打磨工序对所述基板的表面赋予粗糙度的步骤。
　　3.根据权利要求1所述的金刚石电极的制造方法，其特征在于，在所述形成碳化涂层的步骤中，在实施利用热灯丝化学气相沉积法(HFCVD)形成所述导电性金刚石薄膜的步骤之前的步骤中，在将所述腔室内基板表面的温度加热至适当温度的状态下，投入氢气和碳源气体来在铌基板上形成碳化铌涂层。
　　4.根据权利要求1所述的金刚石电极的制造方法，其特征在于，所述形成导电性金刚石薄膜的步骤包括：将作为所述碳源气体的甲烷(CH4)、作为所述硼源气体的TMB(三甲基硼)气体、作为载气的氢气(H2)的投入比率即甲烷:TMB气体:氢气调节为0.5～2.5:3～5:100的步骤。
　　5.根据权利要求1所述的金刚石电极的制造方法，其特征在于，所述形成导电性金刚石薄膜的步骤包括：以所述导电性金刚石层的厚度每增加1～2μm时中断成膜后重新成膜的方式，至少分2次以上进行成膜。
　　6.一种金刚石电极，其根据权利要求1～5中任一项所述的方法制造。