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　　申请号：201510255980.4
　　申请人：西安交通大学
　　发明人：吴胜利 张程高 魏强 王宏兴 胡文波 张劲涛

　　摘要：本发明公开了一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动；2)将经步骤1)处理后的金属钼基板通过MPCVD沉积设备以甲烷、氢气及氧气的混合气体为反应气体进行金刚石薄膜生长，得用于二次电子发射的金刚石薄膜，其中，甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4-6：94-96：0-2，生长过程中MPCVD沉积设备的微波功率为4500-5000w，温度为1050-1100℃。本发明制备的金刚石薄膜具有较高的二次电子发射系数及更好的衰减特性。 　　主权利要求：1.一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动，然后再对金属钼基板进行清洗；2)将经步骤1)处理后的金属钼基板通过MPCVD沉积设备以甲烷、氢气及氧气的混合气体为反应气体进行金刚石薄膜生长，得用于二次电子发射的金刚石薄膜，其中，甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4-6：94-96：0-2，生长过程中MPCVD沉积设备的微波功率为4500-5000w，温度为1050-1100℃。
　　2.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属钼基板的待沉积面为平面或圆弧面。
　　3.根据权利要求2所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，当金属钼基板的待沉积面为平面时，步骤1)的具体操作为：取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨15-20min， 再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动 5-20min。
　　4.根据权利要求2所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，当金属钼基板的待沉积面为圆弧面时，步骤1)的具体操作为：取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨 20-25min，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动5-20min。
　　5.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中将金属钼基板通过粒径为1-10μm的金刚石粉进行研磨。
　　6.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中的金刚石粉的悬浊液为金刚石粉的丙酮悬浊液。
　　7.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中对金属钼基板进行清洗的具体操作为：通过丙酮溶液、酒精及去离子依次对金属钼基板进行超声清洗。