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　　申请号：201320136502

　　申请人：江苏西玉钻石科技有限公司

　　摘要：本实用新型涉及一种人造金刚石单晶生长用石墨梯度发热元件，具有锥形石墨发热管，锥形石墨发热管具有发热壁体以及由发热壁体围成的上、下相通的直型空腔，锥形石墨发热管的发热壁体的外壁为锥形，锥形石墨发热管的发热壁体的上端的壁厚小于锥形石墨发热管的发热壁体的下端的壁厚，锥形石墨发热管的发热壁体的上端的电阻大于锥形石墨发热管的发热壁体的下端的电阻。锥形石墨发热管的发热壁体由上至下的壁厚不同并逐渐增大，所述锥形石墨发热管的发热壁体由上至下的电阻值不同并逐渐减小。本实用新型加热时不易产生热滞，便于有效控制人造金刚石单晶生长用容器腔体内的温差，进一步提高人造金刚石单晶生长的生产质量。

　　独立权利要求：1.一种人造金刚石单晶生长用石墨梯度发热元件，其特征在于：具有锥形石墨发热管，所述锥形石墨发热管具有发热壁体以及由发热壁体围成的上、下相通的直型空腔，所述锥形石墨发热管的发热壁体的外壁为锥形，所述锥形石墨发热管的发热壁体的上端的壁厚小于锥形石墨发热管的发热壁体的下端的壁厚，所述锥形石墨发热管的发热壁体的上端的电阻大于锥形石墨发热管的发热壁体的下端的电阻。

　　2.根据权利要求1所述的一种人造金刚石单晶生长用石墨梯度发热元件，其特征在于：所述锥形石墨发热管的发热壁体由上至下的壁厚不同并逐渐增大，所述锥形石墨发热管的发热壁体由上至下的电阻值不同并逐渐减小。