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官方微信摘要 名称一种金刚石－硅复合封装材料的制备方法申请号201210063625申请日2012年3月12日公开号102610531A公开日
| 名称 | 一种金刚石－硅复合封装材料的制备方法 | ||
| 申请号 | 201210063625 | 申请日 | 2012年3月12日 |
| 公开号 | 102610531A | 公开日 | 2012年7月25日 |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心( 42201 ) | 代理人 | 曹葆青 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 地址 | 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |
| 发明人 | 郎静 朱聪旭 马南钢 朱旭亮 马一 | 主分类号 | H01L 21/48 |
| 国家/省市 | 中国武汉( 83 ) | 分类号 | H01L 21/48 H01L 23/29 H01L 23/373 |
| 摘要 | 本发明涉及一种高导热、低膨胀金刚石－硅复合封装材料的制备方法，属于电子封装材料领域。步骤为：①将金刚石微粒和体积分数４０～７０％硅粉与微量烧结助剂均匀混合，烧结助剂为Ａｌ或Ｔｉ粉；②将装有混合物的石墨模具放入ＳＰＳ，加压２０～３０ＭＰａ并抽真空；③快速烧结，烧结时保温温度设定为１２５０～１３７０℃，烧结过程中采用惰性气体或真空，烧结压力为４０～６０ＭＰａ；④烧结结束后进行随炉冷却并在１０００℃以下卸掉压力，获得致密无微裂纹的复合材料。本发明避免了烧结时间过长造成的金刚石石墨化及硅基体氧化等问题；可以通过改变原料的配比得到各种不同金刚石含量的复合材料，可操作性强，工艺简单。并且所制得的复合材料热导率高达５１５Ｗ／ｍＫ，热膨胀低于１．５×１０－６／Ｋ，致密度达９９．６％以上，可用于电子封装等领域。 | ||
| 独立权利要求 | １．一种金刚石－硅复合封装材料的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（１）将金刚石微粒、硅粉与烧结助剂均匀混合，其中，硅粉的体积分数为４０％～７０％，烧结助剂的体积分数为０～１０％；（２）将装有上述混合物的石墨模具放入放电等离子烧结炉，加压２０～３０ＭＰａ并抽真空；（３）快速烧结，烧结时保温温度设定为１２５０～１３７０℃，烧结过程中采用惰性气体或真空，烧结压力为４０～６０ＭＰａ；（４）烧结结束后对样品进行随炉冷却并在１０００℃以下卸掉压力，以获得致密的没有微裂纹的复合材料。 | ||
豫公网安备41019702003646号