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官方微信摘要 名称一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法申请号201210064534申请日2012年3月13日公开号102605345A公开日
| 名称 | 一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | 201210064534 | 申请日 | 2012年3月13日 |
| 公开号 | 102605345A | 公开日 | 2012年7月25日 |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司( 12002 ) | 代理人 | 侯力 |
| 申请人 | 天津理工大学 | 地址 | 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区科技处 |
| 发明人 | 朱宁 张聪聪 戴伟 曲长庆 吴小国 尹振超 | 主分类号 | C23C 16/44 |
| 国家/省市 | 中国天津( 12 ) | 分类号 | C23C 16/44 C23C 16/27 |
| 摘要 | 一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法，采用直流等离子喷射ＣＶＤ制备，步骤如下：１）刻制圆柱体型石墨基台，并在其上表面中心刻出圆形凹槽；２）用金刚石微粉在硅片表面产生划伤和缺陷；３）在真空条件下通入反应气体在硅片上沉积纳米金刚石薄膜，沉积过程包括形核和生长并采用不同的工艺参数；４）缓慢降至常温即可。本发明的优点是：该制备方法将硅片置于石墨基台的圆形凹槽内，通过对温度场的模拟，有效地降低了硅片沉底的表面温度，通过控制沉积参数利用直流等离子喷射ＣＶＤ制备的纳米金刚石薄膜杂质少、晶像一致、无缺陷，且生长速度较微波等离子ＣＶＤ快、面积大，有利于大规模生产。 | ||
| 独立权利要求 | １．一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于：采用直流等离子喷射ＣＶＤ制备，步骤如下：１）刻制圆柱体型石墨基台，并在其上表面中心刻出圆形凹槽；２）用金刚石微粉在硅片表面产生划伤和缺陷；３）将处理后的硅片放置在上述石墨基台的凹槽内，将石墨基台置于ＣＶＤ设备的铜基台上，石墨基台与喷射口距离４０ｍｍ，将反应室的压强抽至－１００以下，分别通入氢气，氩气，甲烷，其中氩气作为电离气体、甲烷作为碳源、氢气作为氢源，在硅片上沉积纳米金刚石薄膜，沉积过程包括形核过程和生长过程，形核过程的工艺参数：气体流量分别为氢气６ｓｌｍ（标准升／分钟）、氩气４ｓｌｍ、甲烷１００ｓｃｃｍ（标况毫升／分钟）、腔压５０００Ｐａ、弧电压１１０ｖ、弧电流９０Ａ、基片温度９００℃、保温时间为１０ｍｉｎ，然后转入生长过程，生长过程的工艺参数：气体流量分别为氢气６ｓｌｍ、氩气２ｓｌｍ、甲烷６０ｓｃｃｍ、腔压５０００Ｐａ、弧电压１１０ｖ、弧电流９０Ａ、基片温度１０００℃、保温时间为５０ｍｉｎ；４）将上述硅片降至常温，先后关闭甲烷，氢气，最后逐渐关闭氩气，整个降温过程持续５ｍｉｎ，即可制得硅基纳米金刚石薄膜。 | ||
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豫公网安备41010202002335号