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一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法

关键词 金刚石膜 , 制备方法|2012-07-28 10:18:29|行业专利|来源 中国超硬材料网
摘要 名称一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法申请号201210072931申请日2012年3月16日公告号102586735A

 

名称 一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法
申请号 201210072931 申请日 2012年3月16日  
公告号 102586735A 公告日 2012年7月18日
代理机构  广东世纪专利事务所( 44216 ) 代理人 千知化
申请人 广州有色金属研究院 地址 广东省广州市天河区长兴路363号  
发明人 胡芳 代明江 林松盛 侯惠君 韦春贝 石倩 张贺勇 主分类号 C23C 14/06
国家/省市 中国广州( 81 ) 分类号 C23C 14/06 C23C 14/35
摘要   一种无氢掺硅类金刚石膜层。其特征是依次由基体(1);金属层(2);金属碳化物层(3);掺硅类金刚石膜层(4)构成。制备方法是采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶或硅靶以及离子源辅助沉积,依次氩离子清洗基体;沉积金属层和金属碳化物层;沉积无氢掺硅类金刚石膜层。与现有技术相比,本发明方法所制备的膜层具有摩擦系数和磨损率低、膜层质量好的特点。本发明膜层制备工艺简单,重复性好,可制备出不同含硅量的无氢掺硅类金刚石膜层,能满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求,提高其使用的精度、灵敏度和可靠性,适用于超集成电路、医用器械、光学元件、雷达、航空飞行器等。
独立权利要求 1.一种无氢掺硅类金刚石膜层,其特征是所述的无氢掺硅类金刚石膜层依次由基体(1);金属层(2);金属碳化物层(3);掺硅类金刚石膜层(4)构成。
 

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