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官方微信摘要 名称一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法申请号201210072931申请日2012年3月16日公告号102586735A
| 名称 | 一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法 | ||
| 申请号 | 201210072931 | 申请日 | 2012年3月16日 |
| 公告号 | 102586735A | 公告日 | 2012年7月18日 |
| 代理机构 | 广东世纪专利事务所( 44216 ) | 代理人 | 千知化 |
| 申请人 | 广州有色金属研究院 | 地址 | 广东省广州市天河区长兴路363号 |
| 发明人 | 胡芳 代明江 林松盛 侯惠君 韦春贝 石倩 张贺勇 | 主分类号 | C23C 14/06 |
| 国家/省市 | 中国广州( 81 ) | 分类号 | C23C 14/06 C23C 14/35 |
| 摘要 | 一种无氢掺硅类金刚石膜层。其特征是依次由基体（１）；金属层（２）；金属碳化物层（３）；掺硅类金刚石膜层（４）构成。制备方法是采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶或硅靶以及离子源辅助沉积，依次氩离子清洗基体；沉积金属层和金属碳化物层；沉积无氢掺硅类金刚石膜层。与现有技术相比，本发明方法所制备的膜层具有摩擦系数和磨损率低、膜层质量好的特点。本发明膜层制备工艺简单，重复性好，可制备出不同含硅量的无氢掺硅类金刚石膜层，能满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求，提高其使用的精度、灵敏度和可靠性，适用于超集成电路、医用器械、光学元件、雷达、航空飞行器等。 | ||
| 独立权利要求 | １．一种无氢掺硅类金刚石膜层，其特征是所述的无氢掺硅类金刚石膜层依次由基体（１）；金属层（２）；金属碳化物层（３）；掺硅类金刚石膜层（４）构成。 | ||
豫公网安备41010202002335号