申请人:南京航空航天大学
专利号:CN102242374A
一种钛基掺硼金刚石涂层电极的制备方法,它是通过在基底材料上溅射过渡层,再在此基础上CVD法沉积掺硼金刚石涂层来实现的。由基材、过渡层和金刚石层构成的电极,其特征在于所述的基材为钛,过渡层为通过磁控溅射的铌或钽,CVD工艺中使用掺硼浓度为6000-10000ppm。本发明提供了长寿、高电解率的BDD电极的制备方法,它具有成本低,高重复性的优点。
申请人:南京航空航天大学
专利号:CN102242374A
一种钛基掺硼金刚石涂层电极的制备方法,它是通过在基底材料上溅射过渡层,再在此基础上CVD法沉积掺硼金刚石涂层来实现的。由基材、过渡层和金刚石层构成的电极,其特征在于所述的基材为钛,过渡层为通过磁控溅射的铌或钽,CVD工艺中使用掺硼浓度为6000-10000ppm。本发明提供了长寿、高电解率的BDD电极的制备方法,它具有成本低,高重复性的优点。
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