一种高比表面积碳化硅及其制备方法_专利

一种高比表面积碳化硅及其制备方法

关键词制备方法|2010-12-24 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称一种高比表面积碳化硅及其制备方法公开号1401565公开日2003.03.12主分类号C01B31/36

名称	一种高比表面积碳化硅及其制备方法
公开号	1401565	公开日	2003.03.12
主分类号	C01B31/36	分类号	C01B31/36;B01J27/224
申请号	02130064.X
分案原申请号		申请日	2002.08.19
颁证日		优先权
申请人	中国科学院山西煤炭化学研究所	地址	030001山西省太原市165信箱
发明人	郭向云;靳国强;梁萍;王冬华	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	山西五维专利事务所(有限公司)	代理人	李毅
摘要	一种高比表面积碳化硅的直径为10-20nm，比表面积为60-160m#+[2]/g，孔径分布范围为3-100nm。制备方法采用将酚醛树脂和乙醇或丙酮混合，再将铝溶胶、正硅酸乙酯和酚醛树脂溶于混合溶液中，同时加入草酸，搅拌水解；再加入六次甲基四氨进行凝胶，干燥，在通入氩气条件下，加热，反应降至室温；在空气中氧化，再酸洗。本发明具有操作简单，成本低廉，易于规模生产的优点。

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