名称 | 合成0.5~1mm金刚石单晶的新方案 | ||
公开号 | 2268035 | 公开日 | 1997.11.19 |
主分类号 | C30B35/00 | 分类号 | C30B35/00;C01B31/06 |
申请号 | 96240732.1 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1996.09.26 | |
颁证日 | 1997.10.18 | 优先权 | |
申请人 | 郝兆印; 方啸虎 | 地址 | 311100浙江省余杭市(临平)余杭市科委翟中平收 |
发明人 | 郝兆印; 方啸虎; 王琰第 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 余杭中平专利事务所 | 代理人 | 翟中平 |
摘要 | 合成0.5~1mm金刚石单晶的新方案属高压物理领域。其实质是:厚度为0.4mm的小触媒片横向装在叶蜡石方块的腔体内,其触媒片间由石墨片间隔。优点:一是用于生产0.5~1mm的金刚石单晶时,本结构具有易捕捉最佳优晶区;二是在同一层温度梯度较小,相邻层内有一定的温度梯度,可同时获得粗粒高强单晶;三是粒度比较均一,以0.5~1mm为主。该粒度高强料单较高,一般高强的在3克拉左右,高强度可达20~30kg,30~40kg;四是金刚石呈金黄色,包裹体少或几乎无,晶形大多完整 |