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官方微信摘要 名称一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法公开号1344810公开日2002.04.17主分类号C2
| 名称 | 一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法 | ||
| 公开号 | 1344810 | 公开日 | 2002.04.17 |
| 主分类号 | C22C1/04 | 分类号 | C22C1/04;C22C29/18 |
| 申请号 | 01141978.4 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 2001.09.26 | |
| 颁证日 | 优先权 | ||
| 申请人 | 北京科技大学 | 地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 |
| 发明人 | 孙祖庆;张来庆;杨王∴;张跃;傅晓伟 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 杨玲莉 |
| 摘要 | 一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法，主要通过控制原位复合工艺参数，消除Mo、Si和C三元素粉末之间的低温固一固反应，而利用它们之间的固－液反应原位合成MoSi#-[2]－SiC复合粉末，并用二次热压致密该 MoSi#-[2]－SiC复合粉末，来制备界面洁净、无SiO#-[2]玻璃相和Mo#-[5]Si#-[3]，Mo#-[≤5] Si#-[3]C#-[≤1]等其他过渡相、细小弥散SiC颗粒增强MoSi#-[2]两相复合材料。使该复合材料在不降低 MoSi#-[2]抗高温氧化性的前提下，最大限度地改善MoSi#-[2]－SiC复合材料的低温和高温力学性能，并且工艺易于控制、设备简单。 | ||
豫公网安备41010202002335号