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碳化硅(SiC)二极管温度传感器

关键词 碳化硅(SiC)|2010-12-21 00:00:00|行业专利|来源 中国超硬材料网
摘要 名称碳化硅(SiC)二极管温度传感器公开号85109140公开日1987.09.30主分类号H01L35/00&nb

 

名称 碳化硅(SiC)二极管温度传感器 
公开号 85109140  公开日 1987.09.30   
主分类号 H01L35/00  分类号 H01L35/00;G01K7/02 
申请号 85109140 
分案原申请号   申请日 1985.12.12   
颁证日   优先权  
申请人 湖北省襄樊市机电研究所; 国家建材工业总局建筑材料科学研究院玻璃科学研究所  地址 湖北省襄樊市长征路158号 
发明人 綦明刚; 周∴; 邱莉; 吴铁; 张咏紫; 邹小兴  国际申请  
国际公布   进入国家日期  
专利代理机构 襄樊市专利事务所  代理人 孟景前; 樊灵芬 
摘要   一种新的碳化硅二极管温度传感器,具有PN结的单晶体电阻小、对传感器的非线性影响很小的特性.该碳化硅二极管温度传感器采用一种微晶玻璃包封PN结,实现包封温度较低,不损伤电极材料和电极欧姆接触性能,并提高了使用温度上限,可用于0~700℃测温. 
 

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