摘要 名称碳化硅(SiC)二极管温度传感器公开号85109140公开日1987.09.30主分类号H01L35/00&nb
名称 | 碳化硅(SiC)二极管温度传感器 | ||
公开号 | 85109140 | 公开日 | 1987.09.30 |
主分类号 | H01L35/00 | 分类号 | H01L35/00;G01K7/02 |
申请号 | 85109140 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1985.12.12 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 湖北省襄樊市机电研究所; 国家建材工业总局建筑材料科学研究院玻璃科学研究所 | 地址 | 湖北省襄樊市长征路158号 |
发明人 | 綦明刚; 周∴; 邱莉; 吴铁; 张咏紫; 邹小兴 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 襄樊市专利事务所 | 代理人 | 孟景前; 樊灵芬 |
摘要 | 一种新的碳化硅二极管温度传感器,具有PN结的单晶体电阻小、对传感器的非线性影响很小的特性.该碳化硅二极管温度传感器采用一种微晶玻璃包封PN结,实现包封温度较低,不损伤电极材料和电极欧姆接触性能,并提高了使用温度上限,可用于0~700℃测温. |