用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法 _专利

用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法

关键词导电 , 金刚石 , 薄膜 , 制备方法 |2010-12-16 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法公开号1341774公开日2002.03.27主分类号C23C16/27&n

名称	用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法
公开号	1341774	公开日	2002.03.27
主分类号	C23C16/27	分类号	C23C16/27;C23C16/511
申请号	01126424.1
分案原申请号		申请日	2001.08.09
颁证日		优先权
申请人	中国科学院上海光学精密机械研究所	地址	201800上海市800－211邮政信箱
发明人	龚辉;范正修	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	李兰英
摘要	一种用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法，主要适用电化学分析和检测时的电极。本发明的薄膜中含有硼为0.3％至0.5％，含碳量为99.5％至99.7％。采用微波增强化学气相沉积方法制备。制备过程中，选用硅作为基底，硅基底要经过喷砂、清洗以及置入金刚石粉与酒精混合液中用超声波作用等处理后放入沉积室内。选用氢气和甲烷的混合气体为碳源的反应气体。选用1％的硼酸三甲酯和99％的氢气的混合气体为掺硼气源。向沉积室内发射频率大于2GHz的微波，使沉积室内气体产生等离子体。控制上述气源的流速和生长时间，就可以获得所要求的金刚石薄膜的含量和厚度。本发明的金刚石薄膜可直接用作电极，无需依附金属基底，不怕腐蚀，化学、机械与导电性能均良好

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