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郑州华晶金刚石股份有限公司

金刚石功率半导体,电力损失为硅的5万分之1,期待用于人造卫星

关键词 金刚石|2023-04-24 10:18:35|来源 JST客观日本编辑部
摘要 用被称为“终极功率半导体”的金刚石开发电力控制用半导体的研究正在推进之中。与新一代功率半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)相比,金刚石对高电压的耐久性等更加优异,电力损失能减少...

       用被称为“终极功率半导体”的金刚石开发电力控制用半导体的研究正在推进之中。与新一代功率半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)相比,金刚石对高电压的耐久性等更加优异,电力损失能减少到硅产品的五万分之一。其耐热及耐放射线的性能也很强,有望在2050年左右成为人造卫星等设备中不可缺少的部件。

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       金刚石制半导体具备优异的高电压耐久性及耐热性

       金刚石金刚石的魅力在于其卓越的潜在能力。金刚石制半导体即使在硅制功率半导体约30倍的高电压下也不会被破坏,可以继续工作,散热性能为硅的10倍以上。理论上通过金刚石可实现功率效率比硅高5万倍的功率半导体器件。

       但金刚石的难点在于作为电子材料难以处理加工。金刚石是所有材料中最坚硬的,由于无法用比金刚石更硬的材料进行加工,因此难以进行将基板表面加工至原子等级平坦度的精密加工。并且,混合磷和硼等材料,使其具有半导体性质的掺杂技术也没有确立。

       挑战上述课题的是佐贺大学的嘉数诚教授。嘉数教授于2022年与精密零件制造商Orbray(东京·足立区)共同开发了金刚石制功率半导体,以875MW/cm2(M为100万)的电力使其工作。这是金刚石半导体中全球最高的输出功率,在半导体领域仅次于GaN的约2090MW/cm2的输出值。

       为了使金刚石器件具有半导体性质,研究团队采用了在金刚石基板上喷射二氧化氮气体的方法。通过氧化铝膜的保护,实现了高性能的半导体器件。研究团队还通过特殊的研磨方法使基板表面平整,在减少电阻方面也下了不少功夫。

       嘉数教授指出,虽然开发时使用了昂贵的人造金刚石,但“制作金刚石的成本伴随着技术的进步有可能大幅降低”。金刚石虽然在大家的印象中比较昂贵,但其构成元素与煤和石墨一样同为碳素,在地球上资源丰富。制造工序中也没有使用高价的气体等。

       金刚石制半导体备受期待的用途是人造卫星通信设备。现有的半导体受放射线影响,容易发生被称为软误差的故障或劣化,因此卫星通信设备中使用的是真空管。

       如果将半导体换成耐放射线的金刚石制半导体,则能在宇宙中有效使用供给受限的电力。在埃隆·马斯克率领的美国SpaceX卫星通信服务“星链”及宇宙数据中心等卫星通信方面的需求预计会扩大。另外,在地球上,金刚石制半导体也有可能成为支持下一代通信规格“6G”及量子计算机的技术。

       嘉数教授表示“今后会将研究重心转移到应用上,希望5年内提供试制品”。目前,早稻田大学的创新公司Power Diamond Systems(东京·新宿区)开始着手金刚石制半导体的开发。通过将研究主体从大学逐步转为企业,有望在2040年左右实现金刚石制半导体的实际应用。
       大口径化不可缺少

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       嘉数教授等人之所以能够实现高性能的金刚石制半导体,其主要背景在于金刚石基板(晶圆)实现了2英寸(约50mm)的大口径化。晶片由Orbray公司制作。虽然以往的晶片基板上也会使用金刚石,但本次确立了易于大口径化的应用蓝宝石的技术。
尽管如此,与300mm硅晶圆及150~200mm SiC晶圆相比,金刚石半导体在晶圆的大口径方面还落后于其他材料。因此器件的批量生产需要进一步技术创新,以实现晶圆的大口径化及低成本化。
金刚石在耐压和耐热性等性能方面优于SiC和GaN,甚至还优于被视为“下一代SiC”的氧化镓得潜在能力。理论上讲,金刚石的功耗是SiC的八十分之一,GaN的十分之一或更少。

       与由SiC、GaN等多种元素构成的半导体不同,金刚石由单一元素构成,因此不用在意元素混合比例这一点也是其优势,就可以集中精力提高基板结晶的纯度等。

       半导体是涉及材料、设备及系统厂家的大产业。构建金刚石制半导体的供应链也将成为重要的课题。

 

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