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　　Micro LED 异军突起，应用潜力极大。Micro LED 是新一代的显示技术，即微型化的LED 阵列，将LED 结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，使其体积大约为常用LED 大小的1%，其中每一个像素点定制，单独驱动发光，像素点的距离由原先的毫米级降低到微米级。Micro LED 制备工艺结合了MOEMS 技术和LED 制备工艺，具有重复性好，一致性好等优点，可实现超高分辨率(1500ppi 以上)，且发光寿命长，材料稳定性好，可以避免OLED 器件的残影现象，未来商用潜力极大。
　　效率更高，功耗更小，Micro LED 有望大幅延长续航时间。近年来OLED 领域，发光材料的效率已获持续改进，但相比之下，LED 发光效率依然是最高的，约为OLED 的两倍左右，而Micro-LED 的发光效率大约是LED 的4 倍左右。Micro LED只需消耗LCD 和OLED 10%-20%的能量，而通常屏幕耗能占智能手机总耗能50%-60%，使用Micro LED 有望大幅降低手机耗能，提供更长的电池续航力。
　　各大巨头积极布局，Micro LED 商业化曙光已现。据报道，苹果今年将在台湾对搭载Micro LED 的设备进行测试，并率先推出一批使用该技术的AppleWatch。随后不排除会在苹果手机上应用Micro LED 显示屏。苹果早在2014 年就收购研发Micro-LED 的公司LuxVue，多年来技术储备不断增加，专利储备丰富。此外，近日鸿海对外公告，为了布局继OLED 之后最有希望的新世代显示技术Micro LED，公司透过子公司CyberNet 投资约资1，000 万美元取得eLux 部分股份，elux 在Micro LED 转移技术方面已有专利布局。
　　同时，不同于苹果等大厂有意将Micro LED 应用于穿戴式装置或手机产品，Sony 率先展示采用Micro LED 技术生产的110 吋室内大型显示器CLEDIS(Crystal LED Integrated Structure)，画质与对比度均令外界惊艳。此外，国外相关研究团队还有美国德州理工大学、美国伊利诺大学、英国史崔克莱大学等等。据LEDinside 报道，如果按照全面取代现有液晶显示器的零组件的规模来估算，包括背光模块、液晶、偏光板等，未来Micro LED 的潜在市场规模约可达300-400 亿美元。
　　技术及成本是主要瓶颈，大规模应用尚需时日。目前Micro LED 面临的主要技术难题在于巨量转移技术(Mass Transfer)。与LED 的制备方法类似，Micro LED可以在蓝宝石衬底上以蚀刻方式制作，但难点在于Micro LED 制备需将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，以实现超高像素、超高解析率。整个制程对转移过程要求极高，良率需达99.9999%，精度需控制在正负0.5μm 内，难度极高。
　　目前转移相关技术有范德华力、静电吸附、相变化转移、激光烧蚀四种，但相关工艺仍未成熟。此外，根据估算，目前Micro LED 显示技术上带来的制造成本仍高达现有显示产品的3～4 倍，因而厂商正积极透过增加产品附加价值，以及改善芯片、转移技术良率以达到成本下降目标，估计若要取代现有LCD 产品还需3～5 年的时间。