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　　具有良好晶界的异质结构对于电子器件来说十分重要。由于单壁纳米碳管尺寸小，具有独特的电子性质，因此其制造的异质结构引起了特别的兴趣。碳化物在电子工业中扮演着重要的角色。例如，SiC是一种有用的宽带隙的半导体材料。在高温，高频，高功率场合得到了广泛应用。过渡族金属碳化物，如NbC是很好的高熔点，低扩散系数的金属导体，非常适合在超大规模的集成电路中应用。将这些材料与单壁纳米碳管结合在一起将会产生新的器件，如单电子管，场效应管。研究者已经利用基于纳米棒和SiC过渡族金属碳化物之间的异质结构。通过高分辨透射电子显微镜和电子衍射观察表明，该民质结构的晶界良好。单壁纳米碳管和碳化物之是的界面尺寸处在纳米量级，基本由纳米碳管的截面积决定，纳米碳管可以得到最小的异质结，在未来的混合纳米器件中将扮演重要的角色。